熱流儀（Thermal System）提升產(chǎn)品可靠性測試效率的技術(shù)路徑

　　高低溫氣流溫度沖擊系統滿(mǎn)足半導體、航天等多場(chǎng)景需求，冠亞恒溫高低溫氣流溫度沖擊系統AES系列在原有配置的基礎上還能接受定制，滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

　　一、技術(shù)發(fā)展趨勢

　　1. 溫控性能突破

　　更寬溫域：從傳統-55℃~300℃擴展至-100℃~500℃，支持半導體（SiC、GaN）與超導材料測試。

　　更快溫變速率：制冷技術(shù)推動(dòng)溫變速率適配3D封裝芯片的瞬時(shí)熱應力模擬。

　　納米級控溫精度：基于量子傳感器與AI動(dòng)態(tài)補償算法，控溫精度滿(mǎn)足制程芯片的原子級熱分析需求。

　　2. 多物理場(chǎng)耦合測試

　　復合環(huán)境模擬：集成振動(dòng)、濕度、真空模塊，滿(mǎn)足車(chē)規級芯片與航天器件的多維度可靠性驗證。

　　原位分析技術(shù)：結合拉曼光譜、X射線(xiàn)衍射，實(shí)時(shí)觀(guān)測材料熱變形與微觀(guān)結構演變。

　　2. 模塊化與微型化設計

　　芯片級測試設備：微型熱流罩支持晶圓級在線(xiàn)測試，成本降低。

　　可擴展架構：通過(guò)更換模塊適配不同溫域與功能（如添加輻射加熱或濕度控制）。

　　二、半導體行業(yè)應用案例

　　1、3D IC封裝熱應力測試

　　需求：驗證TSV（硅通孔）與混合鍵合結構在-55℃~150℃循環(huán)下的可靠性。

　　方案：熱流儀以80℃/min速率完成溫度循環(huán)，同步監測電阻與形變數據。

　　2、車(chē)規芯片認證

　　需求：滿(mǎn)足-40℃~150℃溫度循環(huán)、濕熱老化等嚴苛測試。

　　方案：多工位熱流罩并行測試8個(gè)ECU，溫變速率50℃/min，濕度精度±2%RH。

　　3、GaN功率器件熱阻優(yōu)化

　　需求：降低GaN HEMT器件的結到外殼熱阻，提升散熱效率。

　　方案：熱流儀結合紅外熱成像，定位熱點(diǎn)并優(yōu)化封裝結構。

　　4、Chiplet異構集成驗證

　　需求：驗證多芯片模塊（MCM）在嚴苛溫度下的信號完整性。

　　方案：熱流儀在-65℃~125℃下同步施加高頻信號，監測延時(shí)與誤碼率。

　　5、制程芯片（2nm）電遷移測試

　　需求：評估銅互連線(xiàn)在高溫與高電流密度下的壽命。

　　方案：熱流儀以±0.1℃精度控溫，結合四探針?lè )▽?shí)時(shí)測量電阻漂移。

　　高低溫氣流溫度沖擊系統其技術(shù)突破與半導體行業(yè)的準確化、集成化需求深度耦合。冠亞恒溫等企業(yè)正通過(guò)持續創(chuàng )新，為全球客戶(hù)提供更準確的可靠性測試解決方案。